![]() |
SMART
II-ส่วนสลับสัญญาณเครือข่ายเอทีเอ็มความเร็วสูง
SMART II-Scalable Multi-gigabit ATM Reconfigurable Switch Core ................................................................................................................................................ มงคล รักษาพัชรวงศ์ กลุ่มวิจัยสื่อสารเพื่อการพัฒนาต้นแบบเชิงพาณิชย์ ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า คณะวิศกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์ |
เครือข่ายสื่อสารข้อมูลเอทีเอ็ม
(ATM-Asynchronous Transfer Mode) จัดว่าเป็นเครือข่ายที่มีความสำคัญและคาด ว่าจะถูกนำไปใช้เป็นเครือข่ายหลัก (core network) ทั้งใน ระบบสื่อสารแบบใช้สายและแบบไร้สาย เนื่องจากเป็นเครือ ข่ายที่มีสามารถรองรับคุณภาพของการให้บริการ (QoS-Quality of Service) ได้หลายรูปแบบ ด้วยเหตุนี้จึงมีการวิจัยและพัฒนา เพื่อให้ได้ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวกับระบบเครือข่ายสื่อสารชนิดนี้เป็น อันมาก โดยเฉพาะอย่างยิ่งด้านการวิจัยซึ่งมุ่งเน้นให้ส่วนสลับ สัญญาณของเอทีเอ็มสวิตช์ (ATM switch core) มีความเร็วใน การส่งผ่านข้อมูลสูงและมีเวลาหน่วงต่ำ (high bandwidth and low latency) ซึ่งเพื่อให้บรรลุจุดประสงค์ดังกล่าว การพัฒนา ส่วนสลับสัญญาณจึงต้องใช้ทั้งเทคนิคทางด้านสถาปัตยกรรม การจัดการข้อมูลภายในสวิตช์และการผลิตชิปวงจรรวมใน แบบเฉพาะงาน (ASIC-Application Specific Integrated Circuit) ซึ่งประเด็นหลังเป็นสิ่งที่ทำให้การวิจัยเพื่อพัฒนาส่วนสลับ สัญญาณเอทีเอ็มสมรรถนะสูงในประเทศไทยเป็นไปได้ยาก เนื่องจากไม่มีอุตสาหกรรมสร้างชิปวงจรรวมในประเทศ อย่างไรก็ดีงานวิจัยทางด้านเอทีเอ็มสวิตช์นี้ก็มีความสำคัญ เพื่อนำไปใช้พัฒนาอุปกรณ์อื่นๆ ของเครือข่ายสื่อสารได้ เพื่อให้การวิจัยเพื่อพัฒนาชิปสลับสัญญาณเอทีเอ็มเป็น ไปได้ภายใต้งบประมาณที่จำกัด และยังคงสมรรถนะที่ยอมรับ ได้ ผู้วิจัยจึงได้ทำการพัฒนาชิปนี้ด้วยเทคโนโลยี FPGA (Field Programmable Gate Array) ซึ่งรองรับการออกแบบ |
วงจรรวมดิจิตอลขนาดใหญ่มากได้เป็นอย่างดี
และสามารถ แก้ไขการออกแบบและทราบผลการทำงานได้อย่างรวดเร็ว ซึ่งผู้วิจัยได้พัฒนาส่วนสลับสัญญาณเอทีเอ็มซึ่งสามารถปรับ เปลี่ยนสถาปัตยกรรมภายในได้ขนาด 4x4 พอร์ต แต่ละ พอร์ตมีความเร็ว 160Mbps (สามารถรองรับมาตรฐานเอที เอ็มที่ความเร็ว 155.52Mbps) โดยพัฒนาบนชิป FPGA รุ่น APEX20K200E โดยใช้ทรัพยากรประมาณ 50% ของชิปหรือ ราว 100,000 เกต โดยชิปนี้ติดต่อกับหน่วยความจำแบบ SDRAM ขนาด 128MB เพื่อใช้พักข้อมูล และหน่วยความ จำแบบ SRAM ขนาด 256KB เพื่อเก็บตารางในการสวิตช์ โดยการเลือกใช้ SDRAM สำหรับพักข้อมูลเนื่องจากมีขนาด ใหญ่และสามารถเข้าถึงได้แบบ busrt จึงทำให้การอ่าน/ เขียนข้อมูลเซลล์ของเอทีเอ็ม (คราวละ 64 ไบต์) เป็นไปได้ ด้วยความรวดเร็ว ในขณะนี้การอ่านตารางจะอ่านข้อมูลน้อย กว่าแต่ต้องการความเร็วในการเข้าถึงมากกว่าจึงเลือกใช้ SRAM ผลการจำลองแบบ (simulation) แสดงให้เห็นว่า ส่วนสลับสัญญาณทำงานได้ถูกต้องที่ความเร็ว 160Mbps ต่อพอร์ต หรือแบนด์วิดท์รวมเท่ากับ 1.28Gbps ในขณะ ที่มีเวลาหน่วงภายในสวิตช์น้อยกว่า 1uS (10-6 วินาที) ขณะนี้กำลังอยู่ในขึ้นตอนการพัฒนาส่วนทดสอบส่วนสลับ สัญญาณ เพื่อทดสอบการทำงานจริงบนชิป FPGA ซึ่งคาด ว่าจะแล้วเสร็จในเดือนมีนาคม 2546 |
![]() รูปที่ 1 โครงสร้างภายในของ SMART II |
![]() รูปที่ 2 แผงวงจรต้นแบบ SMART II |